يهدف صانع الذاكرة إلى تطوير وحدات DDR5
التطلع إلى الأمام: لا يزال يتعين علينا الانتظار قليلاً لاعتماد DDR5 كمعيار جديد ، لكن الشركات المصنعة تعمل بجد بالفعل على ذلك. Micron و Samsung و Team Group و SK Hynix هي بعض الشركات المعروفة بتطوير وحدات ذاكرة DDR5 ، لكن Netac تنضم إليهم بشيء جديد. تخطط الشركة المصنعة للذاكرة الصينية لتطوير وحدات ذاكرة DDR5 مسجلة بسرعة تزيد عن 10000 ميجاهرتز.
يهدف صانع الذاكرة إلى تطوير وحدات DDR5
حدد معيار الذاكرة DDR5 الصادر عن JEDEC سرعات الساعة بين 4800 ميجاهرتز و 6400 ميجاهرتز ، لكن SK Hynix و Samsung وعدت بالفعل بأكثر من ذلك. صرحت شركة Samsung أن ذاكرة DDR5 الخاصة بها سترتفع إلى 7200 ميجاهرتز ، وخطت SK Hynix خطوة أخرى مدعية أنها ستصل إلى سرعات تصل إلى 8400 ميجاهرتز.
تعتزم شركة Netac ، التي أعلنت للتو تلقيها الدفعة الأولى من رقائق ذاكرة DDR5 DRAM من Micron ، دفع سرعات ذاكرة DDR5 أعلى من ذلك ، لتتجاوز حاجز 10000 ميجاهرتز.
تحتوي رقائق Micron Netac على رمز IFA45 Z9ZSB FBGA. وفقًا لـ Micron ، هذه عينات هندسية مع MT60B2G8HB-48B ES: رقم جزء يتميز بسعة 16 جيجابايت (2Gx8) وتوقيت 40-40-40.
بالنظر إلى أن شركة Micron لا تصنف رقائقها فوق 6400 ميجاهرتز ، فإن Netac لديها المهمة بين يديها. سيتعين على الشركة المصنعة الصينية زيادة الفولتية (VDD / VDDQ / VPP) إلى حد كبير وتخفيف توقيتات تشغيل الذاكرة عند أعلى من 10000 ميجاهرتز.
بالمقارنة مع DDR4 ، يبدو الإنجاز ممكنًا تمامًا. تم تعيين سرعة JEDEC القياسية لذاكرة DDR4 عند 2،133 ميجاهرتز ، لكن الشركات المصنعة أصدرت مجموعات ذاكرة بأكثر من ضعف ذلك ، في حين تجاوزت سرعة المعالج المحترفين علامة 7000 ميجاهرتز.
رصيد الصورة: IT Home المصدر
